1、防反接保護（二極管）

在實際電子設計中，防反接保護電路非常重要，不要覺得自己肯定不會接錯，實際上無論多么小心，還是會犯錯誤......

2、防反接保護（PMOS）

上面介紹了利用二極管防反接的辦法，但是壓降是痛點，那么有沒有什么辦法可以去掉這個壓降呢，PMOS來了！

我們知道，PMOS在完全導通后，導通電阻是很小的，常規的幾百毫歐，有一些幾十毫歐， 我們這里在GS之間加了一個齊納二極管防止輸入電壓超過MOS的Vgs，Vgs額定值為20V，我們這里一般用10V的就能滿足了，具體根據MOS的實際特性進行齊納二極管的選擇。

原理分析：當輸入端加正向電壓之后，比如+5V，D端電壓為5V，由于MOS管體二極管的存在，S端的電壓為4.3V，S端電壓減G端電壓大于開啟電壓，PMOS導通后，寄生二極管短路，不再起作用； 電壓反接后，G端電壓大于S端電壓，不導通，實現了防反接的功能。

USB外接電源與鋰電池自動切換電路設計，你GET到精髓了嗎？

電路倒是簡潔，但這個電路有個問題，電路會倒流。假設右側的負載是一個電池，電壓為Vb，當直流輸入突然斷開時，Q1的Vgs滿足MOS的導通條件，PMOS就會導通，電流從右側往左側倒流，就可能引發一些未知的故障。

雖然二極管沒有反向電流（嚴格意義上有漏電流），但是這個有反向電流，如果負載有大容量電容或者是電池， 輸入端關閉時，電流會從右往左從負載端流出。當然，簡單的電路場合用這個電路也沒問題。

3、直流浪涌電流抑制開關

此電路可以解決負載中有大容量電容，電源端出現巨大浪涌電流的問題，啟動時緩慢升高電壓以抑制上電時的浪涌電流。

電壓升高的時間由圖中的C1與R6決定，值增大，緩啟動的時間變長，當然，也可以按照第二點的方法，在GS間加入齊納二極管。

詳細分析，請參考下面文章。

精準電流走向分析，帶軟開啟功能的MOS管電源開關電路！

如果不需要開關，可以去掉三極管部分即可，只做緩啟動功能。

4、背靠背防倒灌

像第二點中的防反接保護電路中說了，會有出現倒流的風險，特別是負載端是電池或者有大容量電容時，或者是電腦的USB給一些調試的同時外部還有電源，則會流向Vin測， 進而可能引發一系列的故障，那我們有沒有辦法防止倒灌呢？

我們看上面這個電路，比上面的電路多了一個MOS，兩個MOS背靠背連接起來，當Control端ON/OFF為高電平時，三極管Q9線導通，Q3跟Q4的柵極都被拉低到0V，Q3通過體二極管，符合條件先導通，接著Q4，S端電壓大于G端電壓，也符合導通條件，導通，負載端得到Vin電壓。

當Control端為低電平時，三極管Q9斷開，Q3與Q4不導通，完全關斷，并且Q3與Q4的體二極管是反向串聯的，所以不論哪個方向，都是不通的，達到防倒灌的效果。

5、雙三極管鏡像電路防倒灌（理想二極管）

電路仿真結果：

左側Q6三極管，Vb = Vin - 0.65，右側Q7三極管是否導通，由Vb與Vout決定，Vb > Vout - 0.65，Q7關閉。

上述關系演變成，Vin - 0.65 > Vout - 0.65，則晶體管 Q7 關閉；

如果 Vin > Vout，晶體管 Q7 截止；

當Vin輸入一定電壓，Q6飽和導通，Q7截止；MOS管柵極通過電阻接地，導通；

如果Vin被突然關閉，Vb不再受制于輸入電壓，此時，Vb = Vout -0.65，Q7導通，MOS管G端電壓拉高，MOS管關閉，達到防止回流的效果。

Vin > Vout，MOS打開，Vout≈Vin，理想二極管；

Vin < Vout，MOS關閉，防止回流。

該電路的優點，防反接，輸出基本不損失電壓，不需要額外控制信號，可以防止電流回流。

該電路在Seeed Studio的板子上得到了應用，大家可以看一下，完整原理圖有興趣的可以找老宇哥拿。