為了滿足量產(chǎn)上的需求，半導體的電性必須是可預測并且穩(wěn)定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結(jié)構(gòu)的品質(zhì)都必須嚴格要求。常見的品質(zhì)問題包括晶格的位錯（dislocation）、孿晶面（twins）或是堆垛層錯（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對于一個半導體器件而言，材料晶格的缺陷（晶體缺陷）通常是影響元件性能的主因。 [1]
目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為柴可拉斯基法（鋼鐵場常見工法）。這種工藝將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質(zhì)液體中，再以旋轉(zhuǎn)的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質(zhì)將會沿著固體和液體的接口固化，而旋轉(zhuǎn)則可讓溶質(zhì)的溫度均勻。 [1]
半導體芯片的發(fā)明是二十世紀的一項創(chuàng)舉，它開創(chuàng)了信息時代的先河。 [1]
大家都知道“因特網(wǎng)”和“計算機”是當今最流行的名詞。計算機已經(jīng)成為我們?nèi)粘Ｉ钪械谋貍涔ぞ撸钦垎栆痪洹澳愕挠嬎銠CCPU用的是什么芯片呢？”是“Intel”，還是“AMD”呢？其實無論是“Intel”還是“AMD”，它們在本質(zhì)上一樣，都屬于半導體芯片。 [1]
全球半導體制造業(yè)2010年增長率將達88%
SEMI最新版的全球集成電路制造廠預測報告揭示，半導體廠2010年的支出預計將上升至300多億美元，較2009年同比增長88%。不少代工廠和存儲器公司在過去的幾個月內(nèi)宣布了增加資本開支的計劃。此外，一部分之前“凍結(jié)”的項目也將陸續(xù)解凍，例如，TI的RFAB、TSMC12廠5期和UMC12A廠3/4期(前12B廠)以及三星的第16生產(chǎn)線和IM在新加坡的閃存工廠。SEMI的全球集成電路制造廠觀測報告也揭示了一批即將破土動工的新建芯片制造廠的計劃，如TSMC14廠的第4期、可能動工的FlashAlliance的5廠及其他。 [1]
當然即使2010年的支出已呈大幅度增長態(tài)勢，前道fab廠的支出仍需在2011年增長至少49%，才能使得設備支出回到2007年的水平。此外，設備的支出計劃也取決于全球經(jīng)濟的持續(xù)復蘇情況。SEMI全球集成電路制造廠觀測報告(SEMIWorldFabForecast)預測，2011年前道fab的支出額將略遜于2007年，達到423億美元。 [1]
2011年全球半導體市場增長乏力
2011年全球半導體市場規(guī)模為3009.4億美元，僅實現(xiàn)微弱增長0.88%，究其原因，主要是金融危機后全球經(jīng)濟復蘇缺乏動力，美國經(jīng)濟持續(xù)低迷，歐洲債務危機益發(fā)嚴重且缺乏統(tǒng)一、有效的救助手段，新興市場國家普遍通貨膨脹加劇。經(jīng)濟環(huán)境的不景氣以及對通貨膨脹的抑制，直接導致了其對電子整機需求的減弱。此外，半導體廠商在金融危機期間逆市投資擴大產(chǎn)能的市場效應也集中于2012年釋放，市場需求放緩、制造產(chǎn)能過剩直接導致了產(chǎn)品價格的大幅下降，以DRAM產(chǎn)品價格下滑幅度最多。 [1]
新工藝
2023年3月，美國明尼蘇達雙城大學研究人員和國家標準與技術(shù)研究院（NIST）的聯(lián)合團隊開發(fā)了一種制造自旋電子器件的突破性工藝，通過使用鐵鈀材料替代鈷鐵硼，可將材料縮小到5納米的尺寸，該工藝有可能成為半導體芯片新的行業(yè)標準。
